三星HBM3E12-Hi将于第二季度开始量产包括128GBDDR5TBSSD 第9代V-NAND

三星在最新财报中提供了其数据中心产品组合的最新信息，确认下一代HBM3E、DDR5和V-NAND将于第二季度推出。

三星今年将推出多种下一代数据中心产品：12-HiHBM3E、128GBDDR5、第9代V-NAND等

这家韩国巨头报告称，其在人工智能领域的增长创历史新高，并将在该领域推出多个新产品线。首先，三星已开始批量生产其HBM3E“Shinebolt”内存，该内存将于本月首先以8-Hi堆栈形式发货，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将为每个堆栈提供高达36GB的容量，适用于AMDMI300X等8模块上高达288GB的产品。

三星电子于4月份开始量产HBM3E8层产品，以应对生成式AI的需求，并计划在第二季度内量产12层产品。

此外，我们计划在第二季度通过基于1bnano32Gb(千兆位)DDR5的128GB(千兆位)产品的量产和客户出货来加强我们在服务器市场的领导地位。

NAND计划及时响应AI需求，于第二季度开发超高容量TBSSD并提供样品，并通过业内首次量产V9来增强技术领先地位。

三星代工从AMD获得30亿美元合同，供应尖端HBM3E1

据报道，AMD已与三星代工厂签署了一项协议，后者将供应HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，例如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品具有更大的内存容量。

在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块并进行量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了其下一代DDR5解决方案的首批样品。

三星和其他公司的SSDNAND内存价格上涨高达20%1

最后，三星正在更新SSDV-NAND前端，将推出TB数据中心SSD。这些SSD将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计第9代V-NAND将于第三季度开始量产。第九代V-NANDSSD将基于QLC(四级单元)设计。有报道称，TLCV-NAND(第9代)将于本月开始生产，传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些SSD将利用最新的PCIeGen5标准。