NVIDIA预计将于2025年第四季度量产下一代R100RubinGPU

NVIDIA预计将于2025年第四季度在台积电3nm节点上批量生产采用HB内存的下一代RubinR100GPU。

NVIDIA下一代RubinR100GPU在提高AI性能的同时注重功效，采用HB内存和台积电3nm节点

新信息来自TFInternationalSecurities分析师Mich-ChiKuo，他表示NVIDIA已为其下一代RubinR100GPU奠定了基础，该GPU以美国天文学家VeraRubin的名字命名，VeraRubin为理解暗物质做出了重大贡献。宇宙同时也在星系自转速率方面做出了开创性的工作。

郭明錤表示，NVIDIARubinR100GPU将成为R系列产品阵容的一部分，预计将于2025年第四季度量产，而DGX和HGX等系统解决方案预计将于上半年量产2026年。NVIDIA最近推出了下一代BlackwellB100GPU，其AI性能显着提高，是该公司首次在AmpereGPU中奠定基础的第一个适当的小设计。

预计NVIDIA的RubinR100GPU将采用4x十字线设计(Blackwell为3.3x)，并在N3工艺节点上采用台积电CoWoS-L封装技术制造。台积电最近制定了到2026年生产高达5.5倍掩模版尺寸的计划，该将采用100x100mm基板，并允许多达12个HBM位置，而当前80x80mm封装上有8个HBM位置。

该半导体公司还计划转向新的SoIC设计，该设计将在120x120mm封装配置中采用大于8倍的掩模版尺寸。这些仍在计划中，因此我们可以更现实地期望RubinGPU的标线尺寸在4倍之间。