由于使用GAA晶体管Exynos2500的效率可能比Snapdragon8Gen4更高

Exynos2400应用处理器(AP)令人惊喜，配备十核CPU。它还提供硬件加速光线追踪，在视频游戏中提供更真实的光照效果，例如阴影、反射、折射、高光和反射光。Geekbench测试表明Exynos2400SoC的功能几乎与Snapdragon8Gen3SoC一样强大。

2023年，所有GalaxyS23机型均配备适用于Galaxy组的Snapdragon8Gen2。三星并未量产Exynos2300。今年，凭借Exynos2400能够驱动旗舰产品线的能力，三星在除美国和中国以外的大多数市场的GalaxyS24和GalaxyS24+上使用了该AP。在这些国家/地区，这两款机型均搭载Galaxy的Snapdragon8Gen3。后一种也被用在所有GalaxyS24Ultra设备上，无论它们是在哪里销售的。

据Wccftech报道，三星将为明年的GalaxyS25旗舰系列采用类似的策略。这意味着我们预计Exynos2500AP将在除美国和中国以外的所有市场的GalaxyS25和GalaxyS25+中找到。在这些国家/地区，我们预计适用于GalaxyAP的Snapdragon8Gen4将为这些型号提供支持。所有GalaxyS25Ultra设备都配备了相同的。

Exynos2400SoC由三星代工厂使用其4纳米节点制造。早期传言称Exynos2500SoC将由三星代工厂使用其第二代3nm工艺节点制造。一位名为PandaFlash的“X”泄密者表示，得益于三星代工厂用于生产Exynos2500的第二代3nm节点，该AP将比Snapdragon8Gen4更节能，后者可能会被制造出来。使用台积电第二代3nm节点。

三星代工的第二代3nm节点和台积电的第二代3nm节点之间是否存在如此大的差异，使得Exynos2500SoC比Snapdragon8Gen4SoC更节能?绝对有!不同之处在于，三星的第二代3nm节点使用环绕栅极(GAA)晶体管，这意味着栅极环绕沟道的所有四个侧面。这限制了泄漏并增加了驱动电流。

台积电在明年下半年开始生产2nm之前不会使用GAA晶体管。在此之前，其第二代3nm将继续使用FinFET晶体管，甚至在即将推出的Snapdragon8Gen4等AP上，以及将在iPhone16Pro系列和非ProiPhone上使用的A18Pro和A18Bionic上。各16个型号。FinFET晶体管允许栅极仅覆盖三个通道。

有报道称，Snapdragon8Gen4组存在功耗问题，迫使制造商使用更大的5500mAh电池来弥补该问题。并不是说Exynos2500组就一定不会出现问题。三星过去的问题是良率低。此前，三星代工厂的3nm生产良率只有可怜的20%。据称，三星代工厂已将良率提高至60%，如果属实，这将是一个重大进步。

Exynos2500和Snapdragon8Gen4直到今年晚些时候才会推出。